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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

总分
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 13.1
    测试中的平均数值
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB 需要考虑的原因
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 59
    左右 -74% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.4 left arrow 2,076.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    4,723.5 left arrow 13.1
  • 写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 6.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    741 left arrow 2200

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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Kingston 9905599-010.A00G 4GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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