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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Kingston KYXC0V-MID 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MID 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,723.5
15.2
写入速度,GB/s
2,076.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2903
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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