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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
35
读取速度,GB/s
9.8
19.3
写入速度,GB/s
8.1
15.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3525
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
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