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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
差异
规格
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
11.9
19.1
写入速度,GB/s
8.5
15.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3609
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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