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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
11.8
写入速度,GB/s
2,622.0
8.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2199
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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