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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,723.5
15.0
写入速度,GB/s
2,076.1
12.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2841
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Frequency (Mhz) *
calculate
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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