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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

总分
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 11.7
    测试中的平均数值
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 59
    左右 -157% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    4,723.5 left arrow 16.8
  • 写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 11.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    741 left arrow 3147

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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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