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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
56
59
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
56
读取速度,GB/s
4,723.5
9.5
写入速度,GB/s
2,076.1
7.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2138
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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