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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 19.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 59
    左右 -127% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    4,723.5 left arrow 19.2
  • 写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 12.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    741 left arrow 3180

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较

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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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内存RAM
Corsair VS2GB1333D4 2GB
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Kingston 9905625-036.A00G 16GB
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