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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
70
左右 -37% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
51
读取速度,GB/s
4,372.7
15.8
写入速度,GB/s
3,071.4
12.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2570
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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