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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
14.4
写入速度,GB/s
2,622.0
9.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2518
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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