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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
62
左右 -158% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.2
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
24
读取速度,GB/s
4,216.7
21.7
写入速度,GB/s
1,658.4
19.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
4349
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
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