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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
62
左右 -158% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.2
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
24
读取速度,GB/s
4,216.7
21.7
写入速度,GB/s
1,658.4
19.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
4349
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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