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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
62
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
38
读取速度,GB/s
4,216.7
15.1
写入速度,GB/s
1,658.4
11.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
2382
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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