RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
62
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
31
读取速度,GB/s
4,216.7
14.6
写入速度,GB/s
1,658.4
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
2199
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link