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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
68
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
30
读取速度,GB/s
4,402.8
15.9
写入速度,GB/s
2,013.5
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2494
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
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