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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

总分
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

总分
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    5 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,381.6 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 60
    左右 -54% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    5,082.2 left arrow 12.8
  • 写入速度，GB/s
    2,381.6 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    925 left arrow 2089

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较

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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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内存RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
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