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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
60
左右 -186% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
21
读取速度,GB/s
5,082.2
18.1
写入速度,GB/s
2,381.6
13.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3226
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
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