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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
70
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,381.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
70
读取速度,GB/s
5,082.2
15.3
写入速度,GB/s
2,381.6
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
1971
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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