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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
60
左右 -88% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
2,381.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
32
读取速度,GB/s
5,082.2
11.3
写入速度,GB/s
2,381.6
7.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2292
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A00LF 4GB
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