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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Kingston 9905711-002.A00G 4GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
60
左右 -161% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
23
读取速度,GB/s
5,082.2
16.0
写入速度,GB/s
2,381.6
11.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2371
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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