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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
60
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
2,381.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
50
读取速度,GB/s
5,082.2
10.2
写入速度,GB/s
2,381.6
7.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2248
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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