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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
60
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
28
读取速度,GB/s
5,082.2
17.1
写入速度,GB/s
2,381.6
15.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3480
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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