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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
21
读取速度,GB/s
14,740.4
16.6
写入速度,GB/s
8,883.4
12.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3332
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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