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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
44
左右 -159% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
17
读取速度,GB/s
14,740.4
20.9
写入速度,GB/s
8,883.4
16.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3550
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB RAM的比较
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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