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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
14,740.4
15.5
写入速度,GB/s
8,883.4
12.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3031
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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