RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
3,895.6
16.7
写入速度,GB/s
1,583.7
10.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2789
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM的比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link