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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
12.3
20.6
写入速度,GB/s
7.3
14.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3393
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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