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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
70
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
65
读取速度,GB/s
4,372.7
16.4
写入速度,GB/s
3,071.4
8.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2041
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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