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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
70
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
42
读取速度,GB/s
4,372.7
16.3
写入速度,GB/s
3,071.4
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3072
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
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