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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
70
左右 -204% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
23
读取速度,GB/s
4,372.7
16.1
写入速度,GB/s
3,071.4
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2613
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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INTENSO 5641160 8GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
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