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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Kingston XRMWRN-MIE 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
70
左右 -126% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
31
读取速度,GB/s
4,372.7
16.7
写入速度,GB/s
3,071.4
14.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3402
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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