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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
9.4
17.6
写入速度,GB/s
5.5
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3573
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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