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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
19
读取速度,GB/s
9.4
19.5
写入速度,GB/s
5.5
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3355
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
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Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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