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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
9.4
14.8
写入速度,GB/s
5.5
9.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2739
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
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Kingston KYXC0V-MIB 16GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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