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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
3,231.0
14.6
写入速度,GB/s
1,447.3
11.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3124
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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