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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
63
左右 -174% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
23
读取速度,GB/s
3,231.0
14.7
写入速度,GB/s
1,447.3
11.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3007
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
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