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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs AMD R748G2400S2S 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
AMD R748G2400S2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
135
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2400S2S 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
135
读取速度,GB/s
4,387.7
15.2
写入速度,GB/s
1,813.5
8.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
1359
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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