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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
18.2
写入速度,GB/s
1,447.3
14.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3384
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Jinyu 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
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