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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
3,231.0
14.5
写入速度,GB/s
1,447.3
11.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2516
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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