RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
63
左右 -62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
39
读取速度,GB/s
3,231.0
13.8
写入速度,GB/s
1,447.3
13.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2971
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link