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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
63
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
37
读取速度,GB/s
3,231.0
13.9
写入速度,GB/s
1,447.3
11.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2387
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2X2048-8500C5C 2GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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