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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
56
左右 -65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
34
读取速度,GB/s
4,387.7
15.3
写入速度,GB/s
1,813.5
11.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2962
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
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