STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

总分
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

总分
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 20.4
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    18 left arrow 63
    左右 -250% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    17.2 left arrow 1,447.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    63 left arrow 18
  • 读取速度,GB/s
    3,231.0 left arrow 20.4
  • 写入速度,GB/s
    1,447.3 left arrow 17.2
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    478 left arrow 3814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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