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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.2
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
19.1
写入速度,GB/s
1,447.3
16.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3562
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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