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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
差异
规格
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
11.7
17.1
写入速度,GB/s
7.2
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
3047
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
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Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
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