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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
差异
规格
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
11.7
16.1
写入速度,GB/s
7.2
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
2489
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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