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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
41
读取速度,GB/s
11.7
15.2
写入速度,GB/s
7.2
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
2186
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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