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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
68
左右 -162% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
26
读取速度,GB/s
3,973.0
13.4
写入速度,GB/s
1,944.9
9.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
2563
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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