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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
68
左右 -94% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
35
读取速度,GB/s
3,973.0
18.7
写入速度,GB/s
1,944.9
13.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3423
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905665-021.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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