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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
68
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
31
读取速度,GB/s
3,973.0
11.8
写入速度,GB/s
1,944.9
10.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
2605
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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